【簡介：】中芯國際2020年實現(xiàn)12nm量產(chǎn)，2021年會在提升良率和產(chǎn)量上下功夫。中芯上海2020年底產(chǎn)能是1.5萬片/月，按每片可切300-500片芯片，年產(chǎn)能7200萬片邏輯芯片。
目前展銳t7510，平頭哥

中芯國際2020年實現(xiàn)12nm量產(chǎn)，2021年會在提升良率和產(chǎn)量上下功夫。中芯上海2020年底產(chǎn)能是1.5萬片/月，按每片可切300-500片芯片，年產(chǎn)能7200萬片邏輯芯片。

目前展銳t7510，平頭哥的玄鐵910，龍芯3a5000，兆芯kx6000，飛騰的ft2000等代表國內(nèi)先進水平的邏輯芯片，基本用12/14nm工藝，這些廠商年銷100萬到幾百萬片，完全可以支撐，另外這些芯片至少有兩年的熱賣期。然后大家升級到7nm（非euv），再干兩年，國產(chǎn)euv光刻機就出來了，這樣5年時間，國產(chǎn)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈就成熟了。

其實特別建議華米ov的低端手機能用展銳的soc，展銳的工藝可混用臺積電和中芯國際的工藝，如紅米9a采用展銳的t7510，展銳用中芯國際12nm工藝，這樣一年就有幾千萬片的銷量，達到規(guī)模應(yīng)用，這樣國產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈才能更成功。

先給出結(jié)論，再說原因。大概率不會推動國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展。原因如下：

一、這個12納米的小規(guī)模量產(chǎn)，是中芯國際的公司行為。也就是說，這是公司的專屬技術(shù)，不是科學(xué)研究機構(gòu)的成果，因此這個12納米的生產(chǎn)技術(shù)不會無償擴散。中芯國際一定會想辦法將這一先進工藝利益最大化。很顯然技術(shù)擴散不利于利益最大化，當(dāng)然就不可能輕易技術(shù)擴散了。

二、12納米技術(shù)所使用的關(guān)鍵設(shè)備材料都是外國產(chǎn)品，單獨12納米工藝的突破，不具有推廣性。因為想要模仿中芯國際的工藝，必須在人財物方面都達到與中芯國際類似的高度?，F(xiàn)在還沒有一家國內(nèi)公司可以與中芯國際在技術(shù)和人才上比較，因此是想推廣也沒可能推廣。

三、這個12納米制程技術(shù)，目前只是小批量的量產(chǎn)實驗，成本極高，很可能沒有商用化的前途，現(xiàn)在說推廣還是太樂觀。如果這個技術(shù)始終無法跨越成本線，就屬于失敗的量產(chǎn)了。在還沒有確認量產(chǎn)成功之前，就說推廣是很不負責(zé)的事情，也沒有其他公司會跟進。

四、最后，12納米芯片的制程中使用了太多國內(nèi)不能控制的設(shè)備和材料，一旦推廣，極有可能形成新的卡脖子問題。芯片投資極大，一旦錢投進去，外國供應(yīng)商就可以隨意控制價格和供應(yīng)量，屬于自己往敵人槍口下撞的行為，還不如回頭踏踏實實地去搞28納米的全國產(chǎn)化來的實際。

綜上四個理由，這次中芯國際在上海的12納米芯片小批量量產(chǎn)屬于孤立事件，沒有什么可推廣的意義。

傳上海微電子研發(fā)出11nm光刻機，請問是真的嗎？有誰知道？

據(jù)報道稱:上海微電子將在2021年交付采用ARF光源制程工藝為28納米的光刻機，并且次光刻機在經(jīng)過多次曝光之后，可以制造出11納米制程的芯片。目前來看，這個消息應(yīng)該是真的。也就是說，國內(nèi)在2021年，就有自己制造的生產(chǎn)28納米制程芯片的光刻機了。雖說，還不能與阿斯麥公司的極紫外EUV光刻機相比，但是足以推進我國工業(yè)芯片和軍用芯片的性能向前邁一大步了。

按光源來分的話，光刻機已經(jīng)發(fā)展了五代。第一代是采用波長為436納米的g-line光源的光刻機，其制程工藝節(jié)點為800納米-250納米；第二代采用波長為365納米的i-line光源的光刻機，其制程工藝節(jié)點也是800納米-250納米；第三代采用波長為248納米的KRF光源的光刻機，其制程工藝節(jié)點為180納米-130納米；第四代也就是波長為139納米的Arf光源的光刻機，其制程工藝節(jié)點為130納米-65納米，45納米-22納米；第五代也就是波長為13.5納米的EUV光源的極紫外光刻機，其制程節(jié)點為22納米-7納米。

而上海微電子將在2021年交付的也就是第四代光刻機，制程工藝節(jié)點為28納米。其實上海微電子與2007年制造了制程工藝節(jié)點為90納米的光刻機，迄今過去了13年。經(jīng)過14年的發(fā)展，再次拿出第四代光刻機也是很正常的。雖說，我國現(xiàn)在無法制造出二氧化碳EUV光源，但是在固體深紫外光源的研發(fā)上是處于國際領(lǐng)先地位的，最明顯的例子就是KBBF晶體。

另外光刻機比較重要的鏡頭，國內(nèi)也是可以自制的。長春光機所于2016年研發(fā)出了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)。清華大學(xué)也在2014年研發(fā)出掩模臺/硅片臺同步掃描指標(biāo)實測達到2.2nm，4.7nm。所以說，光刻機最重要掩膜臺和工作臺，鏡頭組，光源都可以由國內(nèi)單位自己制造出來，那么上海微電子研制出制程工藝為28納米的光刻機也沒有什么可懷疑的。只是在明年交付之后，芯片的良品率并不會一下子就上去，還要過段時間才可以提升上去。

另外，上海微電子即將交付的光刻機，在經(jīng)過多次曝光之后，制程工藝還可以提高到11納米。這樣一來，對那些芯片并不急需，但要求制程工藝的公司來說，也是一個好消息。畢竟國內(nèi)有了這種光刻機，就不必在受到國外的制裁了。對于EUV光源，我國還需要加大研發(fā)力度，爭取早日取得突破。只要光源突破之后，那剩下的就沒有什么太大的難題了

由此可知，上海微電子交付28納米制程工藝的光刻機有較大意義。

讓你失望了，上海微電孑沒有研制出11納米的光刻機。但是，再告訴你一個好消息，明年，上海微電子將研制出28納米的光刻機，經(jīng)過多次光刻后，能精確到11納米。再告訴你個更大的好消息，我們國家的實驗室里巳經(jīng)研制成功了9納米光刻機，雖然，工廠化量產(chǎn)還得多年以后。相信.，上海微電子所一定會不辱使命，在光刻機領(lǐng)域大展伸手，舞出明天中國光刻機的一片希望之所。